【媒体界】9月28日消息，美光科技宣布推出全新HBM3E内存，将进一步加剧与SK海力士的竞争。这款高带宽内存具备令人印象深刻的性能和创新特性，已向英伟达等客户提供样品，预计明年将开始商业出货。
HBM3E内存是一种垂直堆叠多层DRAM的技术，可显著提高数据处理速度。美光的HBM3E内存以其卓越的1.2 TB/s的速度而自豪，并采用了eight-tier的布局，每层内存容量达到24 GB。与此同时，该内存还引入了1β技术，这一先进的制造技术有望提高内存的性能和效率。
据了解，美光表示，除了性能卓越之外，他们的HBM3E内存在成本方面也具备竞争优势，将帮助降低系统制造商的生产成本。目前，美光正在积极寻求产品认证，以满足英伟达等客户的需求。
HBM技术在高性能计算、人工智能和游戏图形等领域有广泛应用，因此美光科技进入HBM3E内存市场将进一步激发市场竞争，推动技术创新，提高产品质量。这一举措将为消费者带来更多的选择，并有望推动整个行业朝着更高性能和更低成本的方向迈进。
