【媒体界】3月1日消息，三星电子近日宣布推出其最新研发的HBM3E 12H，该产品以其12层堆叠设计成为三星目前容量最大的HBM(高带宽存储器)产品，引起行业内广泛关注。
HBM3E 12H具备出色的性能参数，其全天候最高带宽高达1280GB/s，产品容量更是达到了惊人的36GB。与三星之前的8层堆叠HBM3 8H相比，新产品在带宽和容量上实现了超过50%的大幅提升。这一显著进步使得HBM3E 12H能够满足当前人工智能服务供应商对更高容量HBM的迫切需求。
据媒体界了解，三星电子存储器产品企划团队执行副总裁Yongcheol Bae表示：“随着人工智能的快速发展，对高容量HBM的需求日益增长。我们的HBM3E 12H正是为满足这一市场需求而设计，展现了三星在多层堆叠HBM核心技术方面的研发实力，并巩固了我们在人工智能时代高容量HBM市场的技术领先地位。”
为了实现12层堆叠同时保持产品高度一致，HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜(TC NCF)技术。这项技术不仅满足了当前HBM封装的要求，还有效缓解了薄片带来的芯片弯曲问题，为更高的堆叠层数带来了更多优势。三星通过持续降低非导电薄膜(NCF)材料的厚度，并最小化芯片之间的间隙至7微米(µm)，成功消除了层与层之间的空隙，使得HBM3E 12H的垂直密度比HBM3 8H提高了20%以上。
此外，三星的热压非导电薄膜(TC NCF)技术还通过优化芯片之间的凸块尺寸，进一步改善了HBM的热性能。在芯片键合过程中，较小凸块被用于信号传输区域，而较大凸块则放置在散热需求较高的区域，从而提高了产品的良率和可靠性。
随着人工智能应用的不断扩展和深化，HBM3E 12H有望成为未来系统的关键存储解决方案。其超高性能和超大容量将帮助客户更灵活地管理资源、降低数据中心的总体拥有成本(TCO)，并显著提升人工智能训练和推理服务的效率。据预测，与HBM3 8H相比，搭载HBM3E 12H的人工智能应用将实现平均训练速度提升34%，同时推理服务用户数量也将增加超过11.5倍。
目前，三星已经开始向客户提供HBM3E 12H样品进行测试和验证，并计划于今年下半年正式进入大规模量产阶段。这一重要进展将进一步巩固三星在全球存储器市场的领先地位，并为人工智能等领域的发展提供强大支持。
